Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/4223
Назва: | Formation and activation of defects in films of AIVBVI compounds in the process of growing from vapor phase |
Інші назви: | Формування і активація дефектів в плівках |
Автори: | Салій, Ярослав Петрович Фреїк, Дмитро Михайлович Прокопів, Володимир Володимирович |
Ключові слова: | defects, AIVBVI compounds, film growth thin film |
Дата публікації: | 30-чер-2008 |
Видавництво: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2008. V. 11, N 3. P. 167-170. |
Бібліографічний опис: | стаття |
Короткий огляд (реферат): | The work has suggested an adequate model describing formation of defects in films of AIVBVI compounds in vapor-phase growth. Being based on this model, it has given an analytical description of dependences for film electrophysical parameters (concentrations n, p and mobilities μn, μp of free charge carriers) on technological factors of film growth. We have calculated concentrations of activated and inactivated defects as subject to temperature of film deposition. The developed model enables determination of entropy and enthalpy of defect formation processes. |
Опис: | Робота спільно з аспірантом. Залежність електро-фізичних параметрів від технологічних факторів |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/4223 |
ISSN: | 1729-4428 |
Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Formation and activatio Sa Fr Pr.pdf | 222.58 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.