DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/4196| Назва: | Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. II. Експериментальні методи дослідження |
| Автори: | Возняк, Орест Михайлович Фреїк, Дмитро Михайлович Паращук, Тарас Олексійович Чобанюк, Володимир Михайлович Горічок, Ігор Володимирович |
| Ключові слова: | локалізовані стани, донорні рівні, акцепторні рівні, енергія йонізації дефектів |
| Дата публікації: | 2011 |
| Бібліографічний опис: | Фреїк Д.М., Возняк О.М., Паращук Т.О., Чобанюк В.М., Горічок І.В. Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. II. Експериментальні методи дослідження \\ ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА. -2011. - Т. 12, № 2. - С. 445-454. |
| Короткий огляд (реферат): | Представлено аналіз експериментальних методів визначення мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах. Особлива увага звернута на кінетичні, релаксаційні та оптичні методи визначення енергії йонізації дефектів. Підкреслено особливості використання відзначених експериментальних методів та отриманих на їх основі результатів. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/4196 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1202-29.pdf | 302.51 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.