1. Precarpathian National University Repository
  2. Відкриті архіви підрозділів ПНУ
  3. Фізико-технічний факультет
  4. Статті та тези (ФТФ)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/4196
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorВозняк, Орест Михайлович-
dc.contributor.authorФреїк, Дмитро Михайлович-
dc.contributor.authorПаращук, Тарас Олексійович-
dc.contributor.authorЧобанюк, Володимир Михайлович-
dc.contributor.authorГорічок, Ігор Володимирович-
dc.date.accessioned2020-04-03T19:41:05Z-
dc.date.available2020-04-03T19:41:05Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationФреїк Д.М., Возняк О.М., Паращук Т.О., Чобанюк В.М., Горічок І.В. Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. II. Експериментальні методи дослідження \\ ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА. -2011. - Т. 12, № 2. - С. 445-454.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/4196-
dc.description.abstractПредставлено аналіз експериментальних методів визначення мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах. Особлива увага звернута на кінетичні, релаксаційні та оптичні методи визначення енергії йонізації дефектів. Підкреслено особливості використання відзначених експериментальних методів та отриманих на їх основі результатів.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectлокалізовані стани, донорні рівні, акцепторні рівні, енергія йонізації дефектівuk_UA
dc.titleЛокалізовані стани електронів у напівпровідниках. II. Експериментальні методи дослідженняuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1202-29.pdf302.51 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.