Метод часу релаксації та варіаційний підхід у аналізі явищ переносу у напівпровідниках AIVBVI

Abstract

Виконано порівняльний аналіз різних теоретичних наближень, які використовують для розв’язання рівняння Больцмана при дослідженні механізмів розсіювання носіїв заряду у напівпровідниках AIVBVI: метод часу релаксації та варіаційний підхід. Визначено концентраційні та температурні межі домінування окремих механізмів розсіювання носіїв заряду. Вказана переваги кожного із розглядуваних підходів.