Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/3754
Назва: FORMATION OF CARBON FILMS AS THE SUBGATE DIELECTRIC OF GAAS MICROCIRCUITS ON SI-SUBSTRATES
Інші назви: ФОРМУВАННЯ КАРБОНОВИХ ПЛІВОК ЯК ПІДЗАТВОРНОГО ДІЕЛЕКТРИКА GaAs МІКРОСХЕМ НА Si-ПІДКЛАДКАХ
Автори: Novosiadlyi, Stepan
Kotyk, M.
Dzundza, B.
Gryga, V.
Novosiadlyi, Svyatoslav
Mandzyuk, V.
Ключові слова: complementary structures
heterostructures
epitaxy
integrated circuits
technological features
carbon films
Дата публікації: 2017
Видавництво: EASTERN-EUROPEAN JOURNAL OF ENTERPRISE TECHNOLOGIES
Бібліографічний опис: Formation of carbon films as the subgate dielectric of GaAs microcircuits on Si-substrates, / S. Novosiadlyi, M. Kotyk, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosiadlyi, V. Mandzyuk // EASTERN-EUROPEAN JOURNAL OF ENTERPRISE TECHNOLOGIES , Vol 5, No 5 (89) (2017).
Короткий огляд (реферат): The technological aspects of the formation of thin α-C:H carbon films, the peculiarities of the ion-plasma Q-DLTS spectra of heterostructures α-C:H-Si and α-C: H-GaAs are considered, and activation energy, cross-trapping and density of deep traps, responsible for charge state, are determined. The correlation between the technological regimes of the α-C:H film formation and trap density is established. The technological methods and regimes that allow obtaining structures with a relatively small surface state density Nss≤1012 cm-2 are determined. This allows using these structures as a subgate dielectric in GaAs-CMOS structures of LSICs. Low-temperature epitaxy of GaAs-layers on silicon substrates with the use of excimer lasers is developed, where germanium film acts as a buffer layer between Si and GaAs. The technology of carbon films formation by deposition from the carbon target is developed. The use of carbon films as a subgate dielectric allows the formation of CMOS-transistors on GaAs-epilayers with symmetric threshold voltages, which opens a new direction for the development of the sub-micron technology of LSICs and enables to increase the LSICs speed and reduce their production cost.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/3754
ISSN: 1729-3774
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Новосядлый_принято_Возврат_рисунки.doc1.15 MBMicrosoft WordПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.