1. Precarpathian National University Repository
  2. Відкриті архіви підрозділів ПНУ
  3. Фізико-технічний факультет
  4. Статті та тези (ФТФ)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/3704
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorСалій, Ярослав Петрович-
dc.contributor.authorФреїк, Дмитро Михайлович-
dc.contributor.authorСтефанів, Наталія Ярославівна-
dc.date.accessioned2020-04-02T07:46:35Z-
dc.date.available2020-04-02T07:46:35Z-
dc.date.issued2010-05-17-
dc.identifier.citationтези конференціїuk_UA
dc.identifier.issn1729-4428-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/3704-
dc.descriptionСпільна робота з аспірантомuk_UA
dc.description.abstractIrradiation of materials by easy particles with energy 0,1 - 10 MeV plays an important role at creation of semiconductor devices. The decision of problem of control of semiconductor properties of material by irradiation is impossible without understanding of the mechanism of interaction of irradiation with a solid and influence of defects on his properties. Exactly defects in undoped films of lead chalcogenides and tin are responsible for their semiconductor properties.uk_UA
dc.description.sponsorshipПрикарпатський національний університетuk_UA
dc.language.isoen_USuk_UA
dc.publisherНАН Українаuk_UA
dc.subjectрадіаційні дефекти, тонкі плівки, альфа-опроміненняuk_UA
dc.titleDistribution of radiation defects on thickness of IV-VI thin films at alapha-irradiationuk_UA
dc.title.alternativeРозподіл радіаційних дефектів в тонких плівках при альфа-опроміненніuk_UA
dc.typeThesisuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Tezy Polsha.doc1.03 MBMicrosoft WordПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.