Distribution of radiation defects on thickness of IV-VI thin films at alapha-irradiation

Салій, Ярослав Петрович; Фреїк, Дмитро Михайлович; Стефанів, Наталія Ярославівна

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/3704

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Салій, Ярослав Петрович	-
dc.contributor.author	Фреїк, Дмитро Михайлович	-
dc.contributor.author	Стефанів, Наталія Ярославівна	-
dc.date.accessioned	2020-04-02T07:46:35Z	-
dc.date.available	2020-04-02T07:46:35Z	-
dc.date.issued	2010-05-17	-
dc.identifier.citation	тези конференції	uk_UA
dc.identifier.issn	1729-4428	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/3704	-
dc.description	Спільна робота з аспірантом	uk_UA
dc.description.abstract	Irradiation of materials by easy particles with energy 0,1 - 10 MeV plays an important role at creation of semiconductor devices. The decision of problem of control of semiconductor properties of material by irradiation is impossible without understanding of the mechanism of interaction of irradiation with a solid and influence of defects on his properties. Exactly defects in undoped films of lead chalcogenides and tin are responsible for their semiconductor properties.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Прикарпатський національний університет	uk_UA
dc.language.iso	en_US	uk_UA
dc.publisher	НАН Україна	uk_UA
dc.subject	радіаційні дефекти, тонкі плівки, альфа-опромінення	uk_UA
dc.title	Distribution of radiation defects on thickness of IV-VI thin films at alapha-irradiation	uk_UA
dc.title.alternative	Розподіл радіаційних дефектів в тонких плівках при альфа-опроміненні	uk_UA
dc.type	Thesis	uk_UA
Appears in Collections:	Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Tezy Polsha.doc		1.03 MB	Microsoft Word	View/Open

Show simple item record

DSpace JSPUI

DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets