Distribution of radiation defects on thickness of IV-VI thin films at alapha-irradiation

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/3704

Назва:	Distribution of radiation defects on thickness of IV-VI thin films at alapha-irradiation
Інші назви:	Розподіл радіаційних дефектів в тонких плівках при альфа-опроміненні
Автори:	Салій, Ярослав Петрович Фреїк, Дмитро Михайлович Стефанів, Наталія Ярославівна
Ключові слова:	радіаційні дефекти, тонкі плівки, альфа-опромінення
Дата публікації:	17-тра-2010
Видавництво:	НАН Україна
Бібліографічний опис:	тези конференції
Короткий огляд (реферат):	Irradiation of materials by easy particles with energy 0,1 - 10 MeV plays an important role at creation of semiconductor devices. The decision of problem of control of semiconductor properties of material by irradiation is impossible without understanding of the mechanism of interaction of irradiation with a solid and influence of defects on his properties. Exactly defects in undoped films of lead chalcogenides and tin are responsible for their semiconductor properties.
Опис:	Спільна робота з аспірантом
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	http://hdl.handle.net/123456789/3704
ISSN:	1729-4428
Розташовується у зібраннях:	Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
Tezy Polsha.doc		1.03 MB	Microsoft Word	Переглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

DSpace JSPUI