Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/328
Title: Крайове поглинання тонких плівок (Y0.06Ga0.94)2O3
Other Titles: Edge Absorption of Thin films (Y0.06Ga0.94)2O3
Authors: Бордун, Олег Михайлович
Кухарський, Ігор Йосифович
Медвідь, Іванна Іванівна
Цаповська, Жанна Ярославівна
Keywords: оксид ітрію і галію, тонка плівка, край фундаментального поглинання
Issue Date: 2017
Publisher: ДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Бордун О.М. Крайове поглинання тонких плівок (Y0.06Ga0.94)2O3 / О.М. Бордун, І.Й. Кухарський, І.І. Медвідь, Ж.Я. Цаповська // Фізика і хімія твердого тіла. – 2017. – Т.18, № 1. – С. 89-93.
Series/Report no.: Фізика і хімія твердого тіла;Т. 18, № 1
Abstract: Методом оптичної спектроскопії досліджено область фундаментального поглинання тонких плівок (Y0.06Ga0.94)2O3, отриманих методом високочастотного іонно-плазмового розпилення. Встановлено, що дані плівки формуються у моноклінній структурі b-Ga2O3. Оптична ширина забороненої зони даних плівок є більшою ніж у плівках b-Ga2O3 і становить 4,66 еВ для плівок, відпалених у кисні, 4,77 еВ для плівок, відпалених у аргоні і 4,87 еВ для плівок, відновлених у атмосфері водню. Оцінено зведену ефективну масу вільних носіїв заряду у плівках (Y0.06Ga0.94)2O3 після відпалу плівок та після відновлення у водні. Встановлено, що концентрація носіїв заряду після відпалу у кисні становить 1,32´1018 см–3, після відпалу в аргоні – 3,41´1018 см–3 , та після відновлення у водні – 5,20´1018 см–3, що характерне для вироджених напівпровідників. Показано, що зсув краю фундаментального поглинання в тонких плівках (Y0.06Ga0.94)2O3 зумовлений ефектом Бурштейна-Мосса.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/328
ISSN: 1729-4428
Appears in Collections:Т 18, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1801-14.pdf168.78 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.