Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/320
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГайдар, Галина Петрівна-
dc.date.accessioned2018-03-30T10:09:50Z-
dc.date.available2018-03-30T10:09:50Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationГайдар Г.П. Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском / Г.П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. – 2017. – Т.18, № 1. – С. 34-40.uk_UA
dc.identifier.issn1729-4428-
dc.identifier.otherDOI: 10.15330/pcss.18.1.34-40-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/320-
dc.description.abstractУ роботі досліджено зміни питомого опору кристалів n-Si з температурою і направленим тиском Х, орієнтованим як у напрямку á100ñ, так і в напрямку [111]. За експериментальними даними поздовжнього і поперечного тензоопору одержано значення параметра анізотропії рухливості для умов J r|| Xr|| [100] та J r ^ X r || [100]. Виявлено наявність тензоопору в n-Si за умов X r || J r || [111], тобто, при відсутності міжмінімумного перерозподілу носіїв заряду. Наведено фізичне обґрунтування одержаних результатів.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.relation.ispartofseriesФізика і хімія твердого тіла;Т. 18, № 1-
dc.subjectкремній, питомий опір, направлена пружна деформація, тензоопір, параметр анізотропії рухливості.uk_UA
dc.titleДослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тискомuk_UA
dc.title.alternativeInvestigation of Changes in Resistivity of n-Si with Temperature and Uniaxial Stressuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т 18, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1801-05.pdf316.83 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.