Електрична нестабільність кристалів CdTe:Si

Abstract

У роботі наведені результати досліджень температурних залежностей електропровідності та постійної Холла у кристалах CdTe, легованих кремнієм (концентрація домішки у розплаві була 1018 -1019 см-3). Проведена класифікація досліджуваних зразків і умов, при яких можуть реалізуватися конкретні домішкові стани. Знайдено відмінність між трьома групами кристалів CdTe:Si: (1) - низькоомні кристалу p-типу з мілкими акцепторами, у яких домішка Si локалізована головним чином у великих вкрапленнях; (2) - напівізолюючі кристали з глибокими акцепторами і преципітатами Si субмікронного розміру, які є джерелом міжвузлових мілких донорів Sii; (3) - низькоомні кристали, у яких n-тип провідності забезпечується мілкими донорами Sii (і/або) SiCd. Таким чином, кремній відповідальний за n-тип провідності легованих кристалів, якщо він впроваджений як донор Sii, і забезпечує напівізолюючий стан шляхом формування глибоких акцепторних комплексів (SiCd-VCd2-)- з енергетичним рівнем (Еv + 0,65 еВ). Субмікронні преципітати кремнію, що мають тенденцію до розчинення при відносно низьких температурах, можуть діяти як електрично активні центри.