Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/319
Назва: Електрична нестабільність кристалів CdTe:Si
Інші назви: Electrical Instability of CdTe:Si Crystals
Автори: Никонюк, Євген Сергійович
Фочук, Петро Михайлович
Солодін, Сергій Володимирович
Ковалець, Маргарита Олексіївна
Захарук, Зінаїда Іванівна
Панчук, Олег Ельпідефорович
Ключові слова: телурид кадмію, силіцій, легування, електричні властивості, домішка, преципітати
Дата публікації: 2017
Видавництво: ДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Никонюк Є.С. Електрична нестабільність кристалів CdTe:Si / Є.С. Никонюк, П.М. Фочук, С.В. Солодін, М.О. Ковалець, З.І. Захарук, О.Е. Панчук // Фізика і хімія твердого тіла. – 2017. – Т.18, № 1. – С. 29-33.
Серія/номер: Т. 18, № 1;
Короткий огляд (реферат): У роботі наведені результати досліджень температурних залежностей електропровідності та постійної Холла у кристалах CdTe, легованих кремнієм (концентрація домішки у розплаві була 1018 -1019 см-3). Проведена класифікація досліджуваних зразків і умов, при яких можуть реалізуватися конкретні домішкові стани. Знайдено відмінність між трьома групами кристалів CdTe:Si: (1) - низькоомні кристалу p-типу з мілкими акцепторами, у яких домішка Si локалізована головним чином у великих вкрапленнях; (2) - напівізолюючі кристали з глибокими акцепторами і преципітатами Si субмікронного розміру, які є джерелом міжвузлових мілких донорів Sii; (3) - низькоомні кристали, у яких n-тип провідності забезпечується мілкими донорами Sii (і/або) SiCd. Таким чином, кремній відповідальний за n-тип провідності легованих кристалів, якщо він впроваджений як донор Sii, і забезпечує напівізолюючий стан шляхом формування глибоких акцепторних комплексів (SiCd-VCd2-)- з енергетичним рівнем (Еv + 0,65 еВ). Субмікронні преципітати кремнію, що мають тенденцію до розчинення при відносно низьких температурах, можуть діяти як електрично активні центри.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/319
ISSN: 1729-4428
Розташовується у зібраннях:Т 18, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1801-04.pdf414.27 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.