Опис процесів дефектоутворення у бездомішкових кристалах кадмій телуриду методом термодинамічних потенціалів

Abstract

Методом термодинамічних потенціалів розраховано концентрації точкових дефектів та вільних носіїв заряду в кристалах CdTe в залежності від технологічних факторів двотемпературного відпалу (температура відпалу Т, парціальний тиск пари кадмію PCd). Встановлено тип домінуючого виду дефектів у матеріалі n-типу та у матеріалі p-типу провідності. Також показано, що для всієї досліджуваної області T та PCd концентрації заряджених дефектів є більшими за концентрації нейтральних.