DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/3018| Назва: | Evaluation of CdS/CdTe thin film solar cells: SCAPS thickness simulation and analysis of optical properties |
| Автори: | Nykyruy, L. Yavorskyi, R. Zapukhlyak, Z. Wisz, Potera, |
| Ключові слова: | Cadmium telluride; Heterojunction; Optical properties; Solar cells simulation; Thermal evaporation method; Thin films |
| Дата публікації: | чер-2019 |
| Видавництво: | Elsevier B.V. |
| Бібліографічний опис: | Nykyruy, L. I., Yavorskyi, R. S., Zapukhlyak, Z. R., Wisz, G., & Potera, P. (2019). Evaluation of CdS/CdTe thin film solar cells: SCAPS thickness simulation and analysis of optical properties. Optical Materials, 92, 319-329. |
| Короткий огляд (реферат): | The paper presents the study of the optical properties of a thin layer of Cadmium Sulphide deposited on Cadmium Telluride films. CdTe thin films were obtained by vapor phase condensation method with different thicknesses on glass substrates. The optical properties of the deposited films were analyzed by Swanepoel method using transmission spectra. The upper thin layer of CdS was deposited by thermal evaporation method on CdTe thin films. The change of the optical properties of CdS/CdTe heterojunctions were investigated and compared with CdTe thin films. The main optical constants, such as refractive index and absorption coefficient were calculated. Advanced simulations were performed in SCAPS for optimization of СdS/CdTe thin film heterostructures. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/3018 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Optical Materials.pdf | 3.86 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.