Морфологія та струмопровідні властивості композиційного матеріалу SiO2 – C

Abstract

У роботі з використанням методів Х-променевої дифрактометрії, малокутового розсіяння Х-променів, адсорбції / десорбції азоту та імпедансної спектроскопії досліджено структуру, морфологію та електропровідні властивості композиційного матеріалу SiO2 – C. Встановлено, що композит SiO2 – C, одержаний термолітичним розкладом D-лактози, попередньо хемосорбованої на поверхні наночастинок пірогенного кремнезему, має відкриту пористу структуру, в якій домінують мезопори розміром 6-12 нм. При масовому співвідношенні SiO2/C = 5/1 нанокристаліти вуглецевої фази у вигляді пластівчастих листків розміром 0,4 × 0,4 × 5,0 нм3 контактують із усією поверхнею кремнезему і забезпечують композиційному матеріалу електропровідність 49 Ом-1·м-1.