Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/2967
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorФреїк, Дмитро Михайлович-
dc.contributor.authorПрокопів, Володимир Васильович-
dc.contributor.authorПисклинець, Уляна Михайлівна-
dc.contributor.authorЛіщинський, Ігор Мирославович-
dc.date.accessioned2020-03-30T14:59:18Z-
dc.date.available2020-03-30T14:59:18Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.citationФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА Т.3, №1 (2002) С. 526-530uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/2967-
dc.description.abstractМетодом моделювання квазіхімічними реакціями високотемпературної рівноваги дефектів описано зміну типу про-відності у телуриді кадмію під впливом технологічних факторів і легуючої домішки індію. Одержано аналітичний вираз для визначення парціального тиску пари кадмію , що відповідає термодинамічному n-p-переходу, для чистого і з домішкою індію телуриду кадмію. Визначені умови формування матеріалу n- і р-типу провідності із заданою концентрацією носіїв струму. Умови реалізації термодинамічного n-p-переходу пояснено температурними і баричними залежностями концентрації дефектів.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.relation.ispartofseriesФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА;Т.3, №1 (2002) С. 526-530-
dc.subjectтелурид кадмію, індій, дефекти, квазіхімія, константи рівновагиuk_UA
dc.titleВплив технологічних факторів і легуючої домішки індію на дефектну систему і тип провідності у телуриді кадміюuk_UA
dc.title.alternativeСтаттяuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ФХТТ,Т.3, №3 (2002) С. 526-530.pdf299.62 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.