DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/2967| Назва: | Вплив технологічних факторів і легуючої домішки індію на дефектну систему і тип провідності у телуриді кадмію |
| Інші назви: | Стаття |
| Автори: | Фреїк, Дмитро Михайлович Прокопів, Володимир Васильович Писклинець, Уляна Михайлівна Ліщинський, Ігор Мирославович |
| Ключові слова: | телурид кадмію, індій, дефекти, квазіхімія, константи рівноваги |
| Дата публікації: | 2002 |
| Бібліографічний опис: | ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА Т.3, №1 (2002) С. 526-530 |
| Серія/номер: | ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА;Т.3, №1 (2002) С. 526-530 |
| Короткий огляд (реферат): | Методом моделювання квазіхімічними реакціями високотемпературної рівноваги дефектів описано зміну типу про-відності у телуриді кадмію під впливом технологічних факторів і легуючої домішки індію. Одержано аналітичний вираз для визначення парціального тиску пари кадмію , що відповідає термодинамічному n-p-переходу, для чистого і з домішкою індію телуриду кадмію. Визначені умови формування матеріалу n- і р-типу провідності із заданою концентрацією носіїв струму. Умови реалізації термодинамічного n-p-переходу пояснено температурними і баричними залежностями концентрації дефектів. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/2967 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ФХТТ,Т.3, №3 (2002) С. 526-530.pdf | 299.62 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.