DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/22144| Назва: | Інтегральні запам’ятовуючі пристрої зі структурами «кремній-на-ізоляторі |
| Інші назви: | Інтегральні запам’ятовуючі пристрої зі структурами «кремній-на-ізоляторі |
| Автори: | Дуда, Лариса Ігорівна |
| Ключові слова: | Інтегральні запам’ятовуючі пристрої, кремній-на-ізоляторі, напівпровідники, технології виготовлення, структури пам’яті, нанотехнології, електричні характеристики, схеми інтеграції |
| Дата публікації: | чер-2022 |
| Бібліографічний опис: | В даній магістерській роботі наведено порівняльну характеристику сучасних нанометрових КМОН – структур на основі об’ємного кремнію з аналогічними КМОН приладними елементами зі структурами «кремній-на-ізоляторі» (КНІ). Показано переваги і недоліки КНІ - структур і можливості їх використання для побудова схем пам’яті. Розглянуто особливості проектування топологій інтегральних елементів з керованими «кінк»-ефектом. |
| Короткий огляд (реферат): | Анотація на кваліфікаційну магістерську роботу «Інтегральні запам’ятовуючі пристрої зі структурами «кремній-на-ізоляторі» студентки групи КІ-52 Дуди Лариси Ігорівни. В даній магістерській роботі наведено порівняльну характеристику сучасних нанометрових КМОН – структур на основі об’ємного кремнію з аналогічними КМОН приладними елементами зі структурами «кремній-на-ізоляторі» (КНІ). Показано переваги і недоліки КНІ - структур і можливості їх використання для побудова схем пам’яті. Розглянуто особливості проектування топологій інтегральних елементів з керованими «кінк»-ефектом. Розроблено топології і проведено комп’ютерне моделювання базових комірок статичної і динамічної схем пам’яті, досліджено їх електричні і часові характеристики, вплив температури на основні параметри запам’ятовуючих пристроїв, наведено структури запам’ятовуючого елемента з «плаваючим тілом» в КНІ МОН–транзисторі. Запропоновані багато- електродні топології КНІ МОН–транзисторів зі спільним затвором для побудови інтегральних запам’ятовуючих елементів. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/22144 |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові роботи студентів, магістрантів, аспірантів (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| МАГІСТЕРСЬКА_ЛАРИСА_ДУДА_2022р.pdf | 3.84 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.