Інтегральні запам’ятовуючі пристрої зі структурами «кремній-на-ізоляторі

Abstract

Анотація на кваліфікаційну магістерську роботу «Інтегральні запам’ятовуючі пристрої зі структурами «кремній-на-ізоляторі» студентки групи КІ-52 Дуди Лариси Ігорівни. В даній магістерській роботі наведено порівняльну характеристику сучасних нанометрових КМОН – структур на основі об’ємного кремнію з аналогічними КМОН приладними елементами зі структурами «кремній-на-ізоляторі» (КНІ). Показано переваги і недоліки КНІ - структур і можливості їх використання для побудова схем пам’яті. Розглянуто особливості проектування топологій інтегральних елементів з керованими «кінк»-ефектом. Розроблено топології і проведено комп’ютерне моделювання базових комірок статичної і динамічної схем пам’яті, досліджено їх електричні і часові характеристики, вплив температури на основні параметри запам’ятовуючих пристроїв, наведено структури запам’ятовуючого елемента з «плаваючим тілом» в КНІ МОН–транзисторі. Запропоновані багато- електродні топології КНІ МОН–транзисторів зі спільним затвором для побудови інтегральних запам’ятовуючих елементів.