Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/20559
Назва: Дослідження оптичних та електрофізичних властивостей покриттів Mn4Si7 різної товщини
Інші назви: Investigation of optical and electrophysical properties of Mn4Si7 coatings of different thickness
Автори: Ігамов, Б. Д.
Бекпулатов, І. Р.
Іманова, Г. Т.
Камардін, А. І.
Нормуродов, Д. А.
Ключові слова: коефіцієнти пропускання
тонке покриття
наноструктура
питомий опір
коефіцієнт Зеєбека
Дата публікації: 2024
Видавництво: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Бібліографічний опис: Ігамов Б. Д. Дослідження оптичних та електрофізичних властивостей покриттів Mn4Si7 різної товщини / Б. Д. Ігамов, І. Р. Бекпулатов, Г. Т. Іманова, А. І. Камардін, Д. А. Нормуродов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2024. - Т. 25. - № 2. - С. 421-427.
Короткий огляд (реферат): Дослідження покриттів Mn4Si7 різної товщини показали, що магнетронне осадження практично не змінює складу покриття в порівнянні зі складом мішені. Представлено технологію та основні режими створення необхідних мішеней для установки магнетронного розпилення. Мішені створювали шляхом додавання порошків кремнію та марганцю в необхідній кількості та їх нагрівання в умовах вакууму при високій температурі та тиску. На поверхні діоксиду кремнію із виготовлених мішеней методом магнетронного напилення формували тонкі силіцидні плівки (покриття) різної товщини. Дослідження коефіцієнтів пропускання, поглинання і відбиття покриттів у видимій області спектра показали, що для покриття Mn4Si7 коефіцієнт відбиття практично однаковий на всіх довжинах хвиль. Встановлено, що зі збільшенням товщини тонкого покриття Mn4Si7 коефіцієнт Зеєбека змінюється від 16 мкВ/К до 22 мкВ/К, а опір зменшується від 77 Ом до 20 Ом.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/20559
Розташовується у зібраннях:Т. 25, № 2

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
27_Imanova(e).pdf806.59 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.