Дослідження оптичних та електрофізичних властивостей покриттів Mn4Si7 різної товщини

Abstract

Дослідження покриттів Mn4Si7 різної товщини показали, що магнетронне осадження практично не змінює складу покриття в порівнянні зі складом мішені. Представлено технологію та основні режими створення необхідних мішеней для установки магнетронного розпилення. Мішені створювали шляхом додавання порошків кремнію та марганцю в необхідній кількості та їх нагрівання в умовах вакууму при високій температурі та тиску. На поверхні діоксиду кремнію із виготовлених мішеней методом магнетронного напилення формували тонкі силіцидні плівки (покриття) різної товщини. Дослідження коефіцієнтів пропускання, поглинання і відбиття покриттів у видимій області спектра показали, що для покриття Mn4Si7 коефіцієнт відбиття практично однаковий на всіх довжинах хвиль. Встановлено, що зі збільшенням товщини тонкого покриття Mn4Si7 коефіцієнт Зеєбека змінюється від 16 мкВ/К до 22 мкВ/К, а опір зменшується від 77 Ом до 20 Ом.