Механізми розсіювання носіїв заряду у кристалах PbTe, PbSe, PbS n-типу при 4,2-300К

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/20098

Повний запис метаданих

Поле DC	Значення	Мова
dc.contributor.author	Фреїк, Дмитро Михайлович	-
dc.contributor.author	Никируй, Любомир Іванович	-
dc.contributor.author	Нижникевич, Володимир	-
dc.date.accessioned	2024-07-31T07:24:40Z	-
dc.date.available	2024-07-31T07:24:40Z	-
dc.date.issued	2000	-
dc.identifier.citation	Фреїк Д. М., Никируй Л. І., Нижникевич В. В. Механізми розсіювання носіїв заряду у кристалах PbTe, PbSe, PbS n-типу при 4,2-300К // Вісник Прикарпатського університету. Серія: Математика. Фізика. - Івано-Франківськ. - 2000. - Вип. 1. – С. 70-79.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/20098	-
dc.language.iso	uk_UA	uk_UA
dc.publisher	Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника	uk_UA
dc.title	Механізми розсіювання носіїв заряду у кристалах PbTe, PbSe, PbS n-типу при 4,2-300К	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Розташовується у зібраннях:	№ 1

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
Фреїк Д.М., Никируй Л.І., Нижникевич В.В. С.70-79.pdf		444.47 kB	Adobe PDF	Переглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

DSpace JSPUI