DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1843| Назва: | Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates |
| Інші назви: | Дослідження конструктивних і технологічних особливостей формування епітаксійних арсенід-галієвих структур на кремнієвих підкладках |
| Автори: | Новосядлий, Степан Петрович Дзундза, Богдан Степанович Грига, Володимир Михайлович Новосядлий, Святослав Володимирович Котик, Михайло Васильович Мандзюк, Володимир Ігорович |
| Ключові слова: | комплементарні структури напівпровідники епітаксія інтегральні схеми технологічні особливості |
| Дата публікації: | 2017 |
| Видавництво: | НПП ЧП «Технологічний Центр» |
| Бібліографічний опис: | S. Novosyadlyj, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosyadlyj, M. Kotyk, V. Mandzyuk. Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates // Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. 2017. V. 3, N. 5(87). P. 54-61. |
| Серія/номер: | V. 3, N. 5(87); |
| Короткий огляд (реферат): | Проведено аналіз складних структур різної архітектури ІС/ВІС на епі-шарах GaAs, сформованих на Si-підкладках. Вияснено вплив процесів розсіюваних носіїв заряду на флуктуаціях потенціалу на величину і профіль рухливості електронів по товщині епітаксіальної структури. Експериментально показано, що підвищення крутизни в транзисторах Шотткі на основі структур із заглибленими шарами можливе при зниженні опору паразитних областей затвор-стік, затвор витік. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/1843 |
| ISSN: | 1729-3774 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 104563-224066-1-PB.pdf | 956.59 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.