Formation of carbon films as the subgate dielectric of GaAs microcircuits on Si-substrates

Abstract

Розглянуто технологічні аспекти формування тонких карбонових плівок α-С:Н, особливості іонно-плазмових спектрів Q-DLТS гетероструктур α-C:H-Si та α-C:H-GaAs і визначені енергія активації, переріз захоплення і густина глибоких пасток, відповідальних за зарядовий стан. Встановлена кореляція між технологічними режимами формування плівок α-C:H і густиною пасток. Визначені технологічні методи і режими, які дозволяють отримувати структури з відносно невеликою густиною поверхневих станів (NПС)≤1012 см-2, що дає можливість використання цих структур в ролі підзатворного діелектрика в GaAs-КМОН структурних ВІС.