Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1831
Title: Formation of carbon films as the subgate dielectric of GaAs microcircuits on Si-substrates
Other Titles: Формування вуглецевих плівок як підзатворного діелектрика GaAs мікросхем на Si-підкладках
Authors: Новосядлий, Степан Петрович
Котик, Михайло Васильович
Дзундза, Богдан Степанович
Грига, Володимир Михайлович
Новосядлий, Святослав Володимирович
Мандзюк, Володимир Ігорович
Keywords: комплементарні структури
гетероструктури
епітаксія
інтегральні схеми
технологічні особливості
карбонові плівки
Issue Date: 2017
Publisher: НПП ЧП «Технологічний Центр»
Citation: S. Novosyadlyj, M. Kotyk, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosyadlyj, V. Mandzyuk. Formation of carbon films as the subgate dielectric of GaAs microcircuits on Si-substrates // Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. 2017. V. 5, N. 5(89). P. 26-34.
Series/Report no.: V. 5, N. 5(89);
Abstract: Розглянуто технологічні аспекти формування тонких карбонових плівок α-С:Н, особливості іонно-плазмових спектрів Q-DLТS гетероструктур α-C:H-Si та α-C:H-GaAs і визначені енергія активації, переріз захоплення і густина глибоких пасток, відповідальних за зарядовий стан. Встановлена кореляція між технологічними режимами формування плівок α-C:H і густиною пасток. Визначені технологічні методи і режими, які дозволяють отримувати структури з відносно невеликою густиною поверхневих станів (NПС)≤1012 см-2, що дає можливість використання цих структур в ролі підзатворного діелектрика в GaAs-КМОН структурних ВІС.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/1831
ISSN: 1729-3774
Appears in Collections:Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
112289-241139-1-PB.pdf827.29 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.