Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/1819
Назва: Development of technology of superconducting multilevel wiring in speed GaAs structures of LSI/VLSI
Інші назви: Розробка технології надпровідної багаторівневої металізації для високошвидкісних GaAs структур ВІС/НВІС
Автори: Новосядлий, Степан Петрович
Котик, Михайло Васильович
Дзундза, Богдан Степанович
Грига, Володимир Михайлович
Новосядлий, Святослав Володимирович
Мандзюк, Володимир Ігорович
Ключові слова: комплементарні структури
епітаксія
інтегральні схеми
карбонові плівки
надпровідність
магнетронне осадження
Дата публікації: 2018
Видавництво: НПП ЧП «Технологічний Центр»
Бібліографічний опис: S. Novosiadlyi, M. Kotyk, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosiadlyi, V. Mandzyuk. Development of technology of superconducting multilevel wiring in speed GaAs structures of LSI/VLSI // Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. 2018. V. 1, N. 5(91). P. 53-62.
Серія/номер: V. 1, N. 5(91);
Короткий огляд (реферат): Розглянуто технологічні аспекти використання надпровідних матеріалів та показано можливість виготовлення мішеней для магнетронного осадження плівок для формування кріопровідної розводки в структурах ВІС на основі GaAs. Визначені технологічні методи і режими осадження та розроблено високоефективну технологію виготовлення кріосплавів на основі Al, Nb, V з домішками Si, Ge та РЗМ та магнетронного формування надпровідних плівок із сплавів алюмінію, ніобію та ванадію
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/1819
ISSN: 1729-3774
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
123143-266188-1-PB.pdf1.59 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.