Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1818
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorФреїк, Дмитро Михайлович-
dc.contributor.authorПасічняк, Володимир Федорович-
dc.contributor.authorСоколов, Олександр Леонідович-
dc.contributor.authorДзундза, Богдан Степанович-
dc.date.accessioned2020-03-23T13:34:51Z-
dc.date.available2020-03-23T13:34:51Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.citation3.2. Д.М. Фреїк, В.Ф. Пасічняк, О.Л. Соколов, Б.С. Дзундза. Особливості розсіювання носіїв заряду в епітаксійних структурах на основі халькогенідів свинцю // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т.5, № 3. – С. 401-403.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/1818-
dc.description.abstractЗроблено аналіз залежності рухливості носіїв заряду від товщини епітаксійних одношарових плівок p - PbTe i n - PbS, а також гетероструктур p - PbTe / n - PbS, осаджених із парової фази методом гарячої стінки на сколи (111) кристалів BaF2. Визначено внесок розсіювання на поверхні, а також дислокаціях невідповідності на межі “підкладка - плівка” і гетероструктури.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectгетероструктуриuk_UA
dc.subjectдислокаціїuk_UA
dc.subjectрозсіюванняuk_UA
dc.subjectрухливістьuk_UA
dc.titleОсобливості розсіювання носіїв заряду в епітаксійних структурах на основі халькогенідів свинцюuk_UA
dc.title.alternativeFeatures of Carrier Scattering in the Epitaxial Structures on the Basis of Lead Chalkogenidesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
P_06_VpS.pdf367.01 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.