Вплив парів ртуті на електричний опір халькогенідних аморфних плівок

Abstract

З використанням планарних структур «шар Ni – халькогенідні аморфна плівка - шар Ni» та зразків «графітовий зонд - халькогенідна аморфна плівка графітовий зонд» досліджено вплив парів ртуті на електричний опір аморфних плівок систем Se-Te, Se-Sb і Se-As. Встановлено, що витримка зразків в парах ртуті призводить до зменшення їх електричного опору на 4-7 порядків. З підвищенням температури і концентрації ртуті час переходу з високоомного стану в низькоомний зменшується. При введенні в аморфний селен Te, Sb та As і збільшенні їх концентрації у складі плівок час переходу зростає, а величина зміни опору зменшується. Встановлено, що зміна опору визначається в основному зміною поверхневої електропровідності халькогенідних плівок. Зменшення електричного опору селеновмісних аморфних плівок, модифікованих ртуттю, викликане формуванням в їх матриці кристалічних включень HgSe.