DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/1660| Title: | Механізми утворення твердих розчинів SnTe-GaTe і SnTe-Ga2Te3 та їх дефектна підсистема |
| Other Titles: | Mechanisms of SnTe-GaTe and SnTe-Ga2Te3 solid solution formation, its defects subsyste |
| Authors: | Іванишин, Ірина Мирославівна Ivanyshyn, Iryna |
| Keywords: | телурид олова телурид галію дефекти октаедричні і тетраедричні порожнини |
| Issue Date: | 2002 |
| Publisher: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
| Citation: | Іванишин І.М. Механізми утворення твердих розчинів SnTe-GaTe і SnTe-Ga2Te3 та їх дефектна підсистема // Фізика і хімія твердого тіла. 2002. Т.3, №3. С. 549–556. |
| Abstract: | Методами кристалоквазіхімії зроблено аналіз механізмів утворення твердих розчинів квазібінарних систем SnTe-GaTe і SnTe-Ga2Te3 на основі кристалічної структури телуриду олова. Показано, що при легуванні SnTe сполукою GaTe реалізуються одночасно як механізми вкоріненя галію у тетраедричні порожнини (на початкових стадіях з утворенням структури цинкової обманки), так і заміщення галієм атомів олова. У системі SnTe-Ga2Te3 утворення твердого розчину відбувається за механізмом вкорінення з утворенням комплексів Ga2Te3. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/1660 |
| Appears in Collections: | Статті та тези (ФФВС) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ФХТТ_2002_2.pdf | 357.62 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.