Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/15430
Title: | Високоефективні фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії на основі бар'єра Шотткі до аморфного гідрогенізованого кремнію (a - Si H:) |
Other Titles: | High-Efficiency Photovoltaic Solar Energy Converters Based Schottky Barrier to Amorphous Hydrogenated Silicon ( a - Si H:) |
Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Мельник, Л. В. |
Keywords: | аморфний гідрогенізований кремній бар'єр Шотткі |
Issue Date: | 2012 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Новосядлий С. П. Високоефективні фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії на основі бар'єра Шотткі до аморфного гідрогенізованого кремнію (a - Si H:) / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1071-1075. |
Abstract: | Аморфний гідрогенізований кремній ( a - Si H: ) - відносно новий напівпровідниковий матеріал, що є перспективним для створення досить дешевих тонко плівкових фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії. Перші СЕ на основі даного матеріалу представляють собою структуру з бар'єром Шотткі (БШ). Це дозволило за досить короткий термін (десятиліття) на цих структурах отримати К.К.Д на рівні 8-10% на СЕ малої площі. Проте в подальшому розвитку розвивались ФЕП на основі p-n переходу (p i n-структуру), які використовували для створення високоефективних СЕ великої площі з стабільними параметрами і характеристиками. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/15430 |
Appears in Collections: | Т. 13, № 4 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
1304-40.pdf | 216.22 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.