Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/15395
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Струтинська, Л. Т. | - |
dc.contributor.author | Жихаревич, Володимир Вікторович | - |
dc.date.accessioned | 2023-02-27T09:52:56Z | - |
dc.date.available | 2023-02-27T09:52:56Z | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.citation | Струтинська Л. Т. Комп'ютерне моделювання умов формування плоского фронту кристалізації в процесі вирощування термоелектричного матеріалу / Л. Т. Струтинська, В. В. Жихаревич // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1041-1046. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/15395 | - |
dc.description.abstract | У статті наведено аналіз впливу умов вирощування термоелектричного матеріалу на формування плоского фронту кристалізації. Наведено результати комп'ютерного моделювання процесу росту з використанням теорії асинхронних клітинних автоматів. На основі побудованих моделей теплофізичних процесів в рідкій і твердій фазах визначені оптимальні кінетичні, термічні та кількісні умови росту однорідних термоелектричних матеріалів на основі Ві2Те3. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | плоский фронт | uk_UA |
dc.subject | комп’ютерне моделювання | uk_UA |
dc.subject | клітинно-автоматні алгоритми | uk_UA |
dc.title | Комп'ютерне моделювання умов формування плоского фронту кристалізації в процесі вирощування термоелектричного матеріалу | uk_UA |
dc.title.alternative | Computer Simulation of Conditions of Crystallization Plane front Formation in the Process of Growth of Thermoelectrical Material | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 4 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
1304-35.pdf | 317.9 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.