Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/15369
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorОленич, Ігор Богданович-
dc.contributor.authorМонастирський, Любомир Степанович-
dc.contributor.authorАксіментьєва, Олена Ігорівна-
dc.contributor.authorСоколовський, Б. С.-
dc.date.accessioned2023-02-22T09:43:42Z-
dc.date.available2023-02-22T09:43:42Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationОленич І. Б. Адсорбційне легування наноструктур поруватого кремнію / І. Б. Оленич, Л. С. Монастирський, О. І. Аксіментьєва, Б. С. Соколовський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1011-1014.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/15369-
dc.description.abstractПредставлені результати досліджень вольт-амперних характеристик і спектральних залежностей фотоерс в діапазоні довжин хвиль 450 ÷ 1100 нм шарів поруватого кремнію на монокристалічних підкладках n-типу провідності при адсорбції молекул брому та йоду. Показано, що адсорбція акцепторних молекул зумовлює зміну характеру вольт-амперних залежностей досліджуваних зразків із симетричного на випрямляючий. Отримані результати пояснюються в рамках якісної моделі, що передбачає утворення в адсорбційно легованих структурах p - n -переходів внаслідок інверсії типу провідності нанокристалів поруватого кремнію.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectпоруватий кремнійuk_UA
dc.subjectадсорбційне легуванняuk_UA
dc.subjectp – n -перехідuk_UA
dc.subjectфотоерсuk_UA
dc.titleАдсорбційне легування наноструктур поруватого кремніюuk_UA
dc.title.alternativeAdsorption Doping of Porous Silicon Nanostructuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 13, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1304-29.pdf159.8 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.