DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/15369| Title: | Адсорбційне легування наноструктур поруватого кремнію |
| Other Titles: | Adsorption Doping of Porous Silicon Nanostructures |
| Authors: | Оленич, Ігор Богданович Монастирський, Любомир Степанович Аксіментьєва, Олена Ігорівна Соколовський, Б. С. |
| Keywords: | поруватий кремній адсорбційне легування p – n -перехід фотоерс |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Оленич І. Б. Адсорбційне легування наноструктур поруватого кремнію / І. Б. Оленич, Л. С. Монастирський, О. І. Аксіментьєва, Б. С. Соколовський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1011-1014. |
| Abstract: | Представлені результати досліджень вольт-амперних характеристик і спектральних залежностей фотоерс в діапазоні довжин хвиль 450 ÷ 1100 нм шарів поруватого кремнію на монокристалічних підкладках n-типу провідності при адсорбції молекул брому та йоду. Показано, що адсорбція акцепторних молекул зумовлює зміну характеру вольт-амперних залежностей досліджуваних зразків із симетричного на випрямляючий. Отримані результати пояснюються в рамках якісної моделі, що передбачає утворення в адсорбційно легованих структурах p - n -переходів внаслідок інверсії типу провідності нанокристалів поруватого кремнію. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/15369 |
| Appears in Collections: | Т. 13, № 4 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 1304-29.pdf | 159.8 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.