Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/15350
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Балабай, Руслана Михайлівна | - |
dc.contributor.author | Чернікова, Олена Миколаївна | - |
dc.date.accessioned | 2023-02-22T07:53:33Z | - |
dc.date.available | 2023-02-22T07:53:33Z | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.citation | Балабай Р. М. Вплив присутності атомів хрому на оксидацію плівки Si / Р. М. Балабай, О. М. Чернікова // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 993-999. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/15350 | - |
dc.description.abstract | Для вияснення мікроскопічних механізмів прискорення процеса оксидації Si в присутності моношару Cr було проведено теоретичне дослідження взаємодії атомарного кисню з тонкою плівкою кремнію в присутності атомів Cr. Методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів отримані розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для тонкої плівки кремнію в присутності моноатомного шару Cr та атомарного кисню. Спостерігається послаблення зв’язків SiSi у шарах плівки кремнію близьких до моношару Cr. Реактивність атомів Cr збільшується при їх неповній окисленності. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | процес оксидації | uk_UA |
dc.subject | плівка кремнію | uk_UA |
dc.subject | каталітичний вплив Cr | uk_UA |
dc.subject | густина валентних електронів | uk_UA |
dc.title | Вплив присутності атомів хрому на оксидацію плівки Si | uk_UA |
dc.title.alternative | Influence of The Presence of Chromium Atom on the Si Film Oxidation | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 4 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
1304-26.pdf | 372.8 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.