1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2012
  6. Т. 13, № 4
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/15338
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorЮрчишин, Любов Дмитрівна-
dc.date.accessioned2023-02-21T10:01:30Z-
dc.date.available2023-02-21T10:01:30Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationЮрчишин Л. Д. Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах германій і плюмбум телуридів / Л. Д. Юрчишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 974-976.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/15338-
dc.description.abstractВизначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з домішкового атома заміщення та вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів GeTe, PbTe легованих елементами третьої (Ga, In, Tl), п’ятої (Sb, Bi) та сьомої (Cl, Br, I) груп Періодичної таблиці. На основі отриманих результатів здійснено порівняльний аналіз ймовірності утворення зазначених комплексів у кристалах сполук А4В6.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectлегуванняuk_UA
dc.subjectбінарні напівпровідникиuk_UA
dc.subjectкомплекси точкових дефектівuk_UA
dc.subjectентальпія утворення комплексівuk_UA
dc.titleЕнтальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах германій і плюмбум телуридівuk_UA
dc.title.alternativeEnthalpy of Formation of Impurity-Vacancy Complexes in the Crystals of Compounds A4B6uk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 13, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1304-22.pdf113.62 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.