1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2012
  6. Т. 13, № 4
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/15295
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorОстафійчук, Богдан Костянтинович-
dc.contributor.authorЯремій, Іван Петрович-
dc.contributor.authorЯремій, Софія Іванівна-
dc.contributor.authorТомин, Уляна Олексіївна-
dc.contributor.authorУманців, Уманців М. М.-
dc.date.accessioned2023-02-16T08:17:30Z-
dc.date.available2023-02-16T08:17:30Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationОстафійчук Б. К. Аналіз дефектної структури іонно-імплантованих шарів монокристалічних матеріалів / Б. К. Остафійчук, І. П. Яремій, С. І. Яремій, У. О.Томин, М. М. Уманців // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 883-889.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/15295-
dc.description.abstractЗапропоновано методику визначення параметрів дефектів у іонно-імплантованих шарах монокристалів, КДВ яких мають додаткову осциляційну структуру протяжністю до кількох градусів. Виявлено найбільш чутливі до дефектів ділянки кривих дифракційного відбивання та показано, що використання відбивань з малими і великими значеннями статичного фактора Дебая-Валлера дає можливість однозначно визначити тип та характеристики дефектів у порушеному шарі.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectіонна імплантаціяuk_UA
dc.subjectпрофіль деформаціїuk_UA
dc.subjectаморфізаціяuk_UA
dc.titleАналіз дефектної структури іонно-імплантованих шарів монокристалічних матеріалівuk_UA
dc.title.alternativeAnalysis of the Defect Structure of Ion-Implanted Single Crystal Layersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 13, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1304-06.pdf293.69 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.