DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/15295| Назва: | Аналіз дефектної структури іонно-імплантованих шарів монокристалічних матеріалів |
| Інші назви: | Analysis of the Defect Structure of Ion-Implanted Single Crystal Layers |
| Автори: | Остафійчук, Богдан Костянтинович Яремій, Іван Петрович Яремій, Софія Іванівна Томин, Уляна Олексіївна Уманців, Уманців М. М. |
| Ключові слова: | іонна імплантація профіль деформації аморфізація |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Остафійчук Б. К. Аналіз дефектної структури іонно-імплантованих шарів монокристалічних матеріалів / Б. К. Остафійчук, І. П. Яремій, С. І. Яремій, У. О.Томин, М. М. Уманців // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 883-889. |
| Короткий огляд (реферат): | Запропоновано методику визначення параметрів дефектів у іонно-імплантованих шарах монокристалів, КДВ яких мають додаткову осциляційну структуру протяжністю до кількох градусів. Виявлено найбільш чутливі до дефектів ділянки кривих дифракційного відбивання та показано, що використання відбивань з малими і великими значеннями статичного фактора Дебая-Валлера дає можливість однозначно визначити тип та характеристики дефектів у порушеному шарі. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/15295 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1304-06.pdf | 293.69 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.