Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1498
Title: Methods of computer tools development for measuring and analysis of electrical properties of semiconductor films
Other Titles: Методи розробки комп’ютерних засобів для вимірюівння та аналізу електричних властивостей напівпровідникових плівок
Authors: Дунець, Роман Богданович
Дзундза, Богдан Степанович
Дейчаківський, Михайло Васильович
Мандзюк, Володимир Ігорович
Терлецький, Андрій Іванович
Поплавський, Омелян Павлович
Keywords: комп’ютерні засоби
автоматизація
алгоритми мінімізації
електричні властивості
Issue Date: 2020
Citation: R. Dunets, B. Dzundza, M. Deichakivskyi, V.. Mandzyuk, A. Terletsky, O. Poplavskyi Methods of computer tools development for measuring and analysis of electrical properties of semiconductor films // Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. - 2020. - V.1/9, N103. - P. 32-38
Series/Report no.: DOI;10.15587/1729-4061.2020.195253
Abstract: Представлено методику та розроблено комп’ютерні засоби автоматизованого вимірювання електричних параметрів та обробки отриманих експериментальних даних із врахуванням моделей опису фізичних процесів, які визначають експлуатаційні характеристики напівпровідникового матеріалу. Реалізована можливість автоматизованого дослідження якості та омічності контактів, що значно підвищує надійність отриманих даних. Розглянуто методи і особливості програмної обробки результатів автоматизованих досліджень за допомогою моделей, які дають можливість врахувати вплив поверхні та структури і товщини зразка на електричні властивості напівпровідникових плівок. Проведено експериментальні дослідження серії тонких плівок n-PbTe та показано ефективність розроблених засобів і методик обробки наукових даних із застосуванням описаних методик аналізу експериментальних даних. На основі моделювання визначено електричні параметри приповерхневих шарів, розділено вплив поверхневого та зернограничного механізмів розсіювання носіїв заряду на електричні параметри плівок, при цьому поверхнева рухливість носіїв заряду приблизно в 3 рази менша рухливості в об’ємі матеріалу, що незважаючи на високій коефіцієнт дзеркальності (0,4) вказує на домінування дифузного розсіювання носіїв заряду на поверхні досліджуваних тонкоплівкових зразків. Врахування впливу поверхні та меж зерен дає можливість вибрати технологічні режими та тривалість напилення для отримання напівпровідникового матеріалу з потрібними властивостями. В результаті використання розроблених засобів вдалося значно зменшити трудомісткість процесу вимірювання основних електричних параметрів напівпровідникових матеріалів, обробки отриманих експериментальних результатів, підвищити точність отриманих результатів
URI: http://hdl.handle.net/123456789/1498
ISSN: 1729-3774
Appears in Collections:Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
CE_Metods.pdf1.73 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.