Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/14945
Назва: Вплив протонного опромінення на властивості легованих НК Si1-xGex р-типу
Інші назви: Influence of Proton Irradiation on Si-Ge Whiskers Properties
Автори: Дружинін, Анатолій Олександрович
Островський, Ігор Петрович
Ховерко, Юрій Миколайович
Литовченко, Петро Григорович
Павловська, Н. Т.
Павловський, Юрій Вікторович
Корецький, Р. М.
Ключові слова: ниткоподібні кристали
протонне опромінення
магнітоопір
Дата публікації: 2012
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Дружинін А. О. Вплив протонного опромінення на властивості легованих НК Si1-xGex р-типу / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, П. Г. Литовченко, Н.Т. Павловська, Ю. В. Павловський, Р. М.Корецький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 3. - С. 604-606.
Короткий огляд (реферат): Вивчено вплив протонного опромінення з енергією 6,8 МеВ та дозами до 1×1017 р + /см2 та відпалу за температур 100 – 300 оС на електропровідність ниткоподібних кристалів Si1-xGex (х = 0,03) з концентрацією домішок поблизу переходу метал-діелектрик в інтервалі температур 4,2 – 300 К у магнітних полях з індукцією до 14 Тл. Встановлено, що опромінення дозою 5×1015 р + /см-2 практично не змінює провідності кристалів, тоді як опромінення дозою 1×1016 р + /см-2 та відпал приводить до істотного зменшення опору та зміни магнетоопору НК Si1-xGex в інтервалі температур 4,2 = 40 К. Отримані результати пояснюються в рамках аналізу стрибкової провідності по домішковій зоні у кристалах.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/14945
Розташовується у зібраннях:Т. 13, № 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1303-05.pdf102.76 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.