Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/14945
Назва: | Вплив протонного опромінення на властивості легованих НК Si1-xGex р-типу |
Інші назви: | Influence of Proton Irradiation on Si-Ge Whiskers Properties |
Автори: | Дружинін, Анатолій Олександрович Островський, Ігор Петрович Ховерко, Юрій Миколайович Литовченко, Петро Григорович Павловська, Н. Т. Павловський, Юрій Вікторович Корецький, Р. М. |
Ключові слова: | ниткоподібні кристали протонне опромінення магнітоопір |
Дата публікації: | 2012 |
Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Бібліографічний опис: | Дружинін А. О. Вплив протонного опромінення на властивості легованих НК Si1-xGex р-типу / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, П. Г. Литовченко, Н.Т. Павловська, Ю. В. Павловський, Р. М.Корецький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 3. - С. 604-606. |
Короткий огляд (реферат): | Вивчено вплив протонного опромінення з енергією 6,8 МеВ та дозами до 1×1017 р + /см2 та відпалу за температур 100 – 300 оС на електропровідність ниткоподібних кристалів Si1-xGex (х = 0,03) з концентрацією домішок поблизу переходу метал-діелектрик в інтервалі температур 4,2 – 300 К у магнітних полях з індукцією до 14 Тл. Встановлено, що опромінення дозою 5×1015 р + /см-2 практично не змінює провідності кристалів, тоді як опромінення дозою 1×1016 р + /см-2 та відпал приводить до істотного зменшення опору та зміни магнетоопору НК Si1-xGex в інтервалі температур 4,2 = 40 К. Отримані результати пояснюються в рамках аналізу стрибкової провідності по домішковій зоні у кристалах. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/14945 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 3 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
!1303-05.pdf | 102.76 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.