Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/14897
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБрус, Віктор Васильович-
dc.contributor.authorІлащук, Марія Іванівна-
dc.contributor.authorКовалюк, Захар Дмитрович-
dc.contributor.authorМар’янчук, Павло Дмитрович-
dc.contributor.authorУльяницький, Костянтин Сергійович-
dc.contributor.authorГрицюк, Б. М.-
dc.date.accessioned2023-01-23T09:42:44Z-
dc.date.available2023-01-23T09:42:44Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationБрус В. В. Сонячний елемент на основі гетеропереходу n-ТіО2/p-CdTe / В. В. Брус, М. І. Ілащук, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук, К. С. Ульяницький, Б. М. Грицюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 2. - С. 478-481.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/14897-
dc.description.abstractВиготовлені фоточутливі гетеропереходи n-ТіО2/p-CdTe шляхом нанесення методом реактивного магнетронного розпилення при постійній напрузі тонких плівок ТіО2 n-типу провідності на свіжо сколоті монокристалічні підкладки p-CdTe (110). Запропоновано методи формування омічних контактів до n - ТіО2 та p - CdTe, а також досліджено їхні електричні властивості. Сонячний елемент при освітленні 100 мВт/см2 володіє наступними фотоелектричними параметрами: напруга холостого ходу Voc = 0,69 В, струм короткого замикання Isc = 6 мА/см2 і коефіцієнтом заповнення FF = 0,42.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectсонячний елементuk_UA
dc.subjectтонка плівкаuk_UA
dc.subjectTiO2uk_UA
dc.subjectCdTeuk_UA
dc.titleСонячний елемент на основі гетеропереходу n-ТіО2/p-CdTeuk_UA
dc.title.alternativeA Solar Cell Based on a Heterojunction n-ТіО2/p-CdTeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 13, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1302-33.pdf171.03 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.