Взаємодія поверхні CdTe змінної кристалографічної орієнтації з розчинами на основі I2 та Н202-НІ

Abstract

На основі експериментальних досліджень процесів хемічної взаємодії поверхні монокристалів СdТе різних кристалографічних напрямків з йодвмісними (І2-СН3ОН, І2-ДМФА), та йодвиділяючими розчинами (Н202—НІ-розчинник) розроблено склади травильних композицій та методики обробки поверхні СdТе. З використанням математичного планування експерименту побудовано поверхні однакових швидкостей травлення вказаних напівпровідників у досліджуваних системах розчинів. Органічним компонентом травильних композицій використано: метанол, етиленгліколь, цитратну, лактатну, тартратну кислоти, а також суміші етиленгліколю та цитратної кислоти. Встановлено вплив органічного розчинника на процес хемічного травлення і поліруючі властивости травників, до складу яких вони входять. Досліджено кінетичні обмеження процесу розчинення, визначено межі існування ділянок поліруючих, неполіруючих та селективних розчинів у кожній з досліджуваних систем. Вперше показано вплив кристалографічної орієнтації поверхні монокристалічного СdТе на швидкість і характер взаємодії із розчинами розроблених травильних композицій. Визначено залежність розмірів ділянок поліруючих розчинів у потрійних йодвиділяючих системах від орієнтації монокристалічної поверхні зразків. Встановлено існування компенсаційної запежности в кінетиці хемічного травлення СdТе водними розчинами досліджуваних систем. На основі аналізи результатів кінетичних вимірювань, металографічного та профілографічного дослідження, а також Х-проміневої фотоелектронної спектроскопії (ХФЕС) проведено оптимізацію складів травників та технологічних режимів процесу хемічної модифікації поверхні СdТе.