Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/14007
Назва: Створення та фотоелектричні властивости структур на основі багатокомпонентних халькоґенідів
Автори: Петрусь, Роман Юрійович
Ключові слова: селеніди індію
напівпровідникові тверді розчини
спрямована кристалізація
хемічні транспортні реакції
фотоперетворюючі структури
бар’єри Шотткі
гетероструктури
Дата публікації: 2011
Видавництво: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Бібліографічний опис: Петрусь P. Ю. Створення та фотоелектричні властивости структур на основі багатокомпонентних халькоґенідів // Вісник Прикарпатського національного університету. Серія: Хімія. – 2011. – Вип. 12. – C.85 – 95.
Короткий огляд (реферат): Методами спрямованої кристалізації та хемічних транспортних реакцій удосконалено технології вирощування монокристалів InSe, In2Se3 та твердих розчинів Cd1-xMnxTe (х=0,00-0,70), визначено елементний склад, досліджено структуру та фізичні властивости отриманих монокристалів. Запропоновано нову технологію формування енергетичного бар’єру методом термообробки вирощених кристалів, і вперше створено випрямляючі фоточутливі гетероструктури n-Ox/n-InSe, Ox/Cd1-xMnxTe (х=0,00-0,70). Проаналізовано стаціонарні вольт-амперні характеристики і спектри відносної квантової ефективности вперше одержаних гетероструктур у природньому (а для n-Ох/n-InSe і в лінійно-поляризованому) випромінюванні. Показано, що в створених гетероструктурах спостерігається фоточутливість у широкій спектральній смузі, а за скісного падіння лінійно- поляризованого випромінювання виникає фотоплеохроїзм. Уперше створено бар’єри Шотткі In/n-In2Se3, Al/n-In2Se3 та In/Cd1-xMnxTe, які фоточутливі у широкому інтервалі енергій падаючих фотонів (1-3,8 еВ, 300 К). Аналіза спектрів фоточутливости створених структур дозволила визначити характер міжзонних оптичних переходів, висоту енергетичних бар’єрів і енергії міжзонних оптичних переходів кристалів In2Se3, Cd1-xMnxTe (х=0,00-0,70). Запропоновано і вперше отримано методом електричного розряду точкові структури на основі монокристалів InSe та твердих розчинів Cd1-xMnxTe (х=0,00-0,70). Досліджено стаціонарні вольт-амперні характеристики та фоточутливість структур ТК/n-InSe, ТК/Cd1-xMnxTe (х=0,00-0,70). Виявлено широкосмуговий характер і екситонна особливість у спектрах фоточутливости структур ТК/n-InSe. Зроблено висновок про можливість застосування нових структур як широкосмугових фотоперетворювачів оптичного випромінювання та у створенні приладів магнітної фотоелектроніки на основі твердих розчинів Cd1-xMnxTe.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/14007
Розташовується у зібраннях:№ 12

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
P. Ю. Петрусь С.85-95.pdf522.87 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.