Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/13718
Title: Термоелектрика легованих кристалів PbTe:Bi(Sb) у широкому температурному інтервалі
Other Titles: Thermoelectricity of Doped Crystals PbTe:Bi(Sb) in a Wide Temperature Range
Authors: Дзумедзей, Роман Олексійович
Никируй, Любомир Іванович
Бандура, Юлія Володимирівна
Гевак, Тетяна Петрівна
Keywords: телурид свинцю
термоелектричні коефіцієнти
термоелектрична добротність
легування
Issue Date: 2012
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Дзумедзей Р. О. Термоелектрика легованих кристалів PbTe:Bi(Sb) у широкому температурному інтервалі / Р. О. Дзумедзей, Л. І. Никируй, Ю. В. Бандура, Т. П. Гевак // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 230-233.
Abstract: Розраховано термоелектричні коефіцієнти для PbTe:Sb та PbTe:Ві у температурному інтервалі (77- 800) К. Встановлено характер поведінки безрозмірної термоелектричної добротності залежно від вмісту домішки ((1, 1.5 та 2) ат. % Sb і (0.25, 0.5, 1 та 2) ат. % Ві). Проведено порівняльний аналіз впливу легуючих домішок (Sb, Bi) фіксованого вмісту на безрозмірну термоелектричну добротність кристалічного плюмбум телуриду.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/13718
Appears in Collections:Т. 13, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1301-38.pdf149.96 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.