DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/13600| Назва: | Кристалічна та електронна структури твердого розчину заміщення Ti1-хDyxNiSn |
| Інші назви: | Crystal and Electronic Structures of Ti1-хDyxNiSn Substitutional Solid Solution |
| Автори: | Стадник, Юрій Володимирович Ромака, Любов Петрівна Рогль, Петер-Франц Хліль, Ель Кібір Ромака, Віталій Володимирович Горинь, Андрій Маркіянович |
| Ключові слова: | напівпровідник густина станів рівень Фермі |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Стадник Ю. В. Кристалічна та електронна структури твердого розчину заміщення Ti1-хDyxNiSn / Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака, П.-Ф. Рогль, Е. К. Хліль, В. В. Ромака, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 180-184. |
| Короткий огляд (реферат): | Досліджено кристалічну та електронну структури твердого розчину заміщення Ti1-хDyxNiSn. Встановлено область існування Ti1-хDyxNiSn (до х ≈ 0,20) та розраховано розподіл електронної густини (DOS) у рамках самоузгодженого методу Корринги-Кона-Ростокера у наближенні когерентного потенціалу (KKR– CPA–LDA). Розрахунки вказують на напівпровідниковий характер зонної структури Ti1-хDyxNiSn, а уведення атомів Dy у структуру сполуки TiNiSn призводить до дрейфу рівня Фермі в напрямку валентної зони. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/13600 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 1 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1301-28.pdf | 246.94 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.