Розподіл власних дефектів у монокристалічних епітаксійних плівках PbTe

Abstract

Показано, що розмірні ефекти в монокристалічних плівках PbTe n-типу, вирощених на слюдяних підкладках методом гарячої стінки, пов’язані з розподілами як донорних станів, так і центрів розсіювання вільних носіїв заряду. Виконана апроксимація експериментальних ефективних залежностей провідності σ(d) і добутку коефіцієнта Холла і квадрату провідності R(d)σ 2 (d) від товщини теоретичними залежностями, які є інтегралами від комбінацій локальних концентрацій n(x) і рухливостей µ(x), що визначаються розподілами донорів і центрів розсіювання, представлених сумами гаусових кривих і горизонтальної прямої. Одержано просторові параметри розподілів дефектів росту на межі підкладка плівка і дислокацій у наступному шарі. Виходячи з шаруватої неоднорідності тонких напівпровідникових плівок PbTe, вирощених методом гарячої стінки, виявлено три шари збагачені вільними електронами до різних значень концентрації і два шари центрів розсіювання, пов’язаних з різними типами кристалічних дефектів: міжфазними границями, дислокаціями, точковими дефектами тощо.