Тензорезистивні ефекти в сильно деформованих кристалах n-Si та n-Ge

Abstract

Встановлено, що поряд із класичними механізмами перерозподілу електронів між долинами існують додаткові механізми, які пов'язані з радикальною перебудовою зони провідності за рахунок деформаційноіндукованого збільшення ефективної маси електрона. Для сильно легованих кристалів кремнію за умови досягнення переходу метал-ізолятор отримана залежність ефективної маси електрона від одновісного тиску, що знаходиться в повній відповідності з теоретичними розрахунками, а також з експериментальними даними. З’ясовані особливості ударної іонізації станів мілких домішок на ізоляторній стороні деформаційноіндукованого переходу метал-ізолятор для сильно легованих кристалів кремнію й германію n-типу провідності. Виявлено особливості електрофізичних властивостей нейтронно-легованих кристалів кремнію, зумовлених наявністю високотемпературних технологічних термодонорів.