Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/13179
Назва: Дефекти структури приповерхневих шарів йонно-імплантованих епітаксійних плівок та монокристалів гранату
Автори: Яремій, Іван Петрович
Остафійчук, Богдан Костянтинович
Ключові слова: монокристали
гадоліній-галієвий ґранат
ферит-ґранатові плівки
йонна імплантація
радіаційні дефекти
приповерхневий шар
профілі відносної деформації
Х-променева дифрактометрія
мессбауерівська спектроскопія
Дата публікації: 2014
Видавництво: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Бібліографічний опис: Яремій І. П., Остафійчук Б. К. Дефекти структури приповерхневих шарів йонно-імплантованих епітаксійних плівок та монокристалів гранату // Вісник Прикарпатського університету. Серія: Фізика. Функціональні матеріали. – 2014. – Вип. 3. – C. 3-20.
Короткий огляд (реферат): Показано, що в йонно-імплантованих приповерхневих шарах досліджуваних матеріалів формування дислокаційних петель за рахунок об'єднання точкових радіаційних дефектів відбувається тільки в площинах, паралельних до поверхні зразка. Для коректного аналізу вказаної системи дефектів в рамках статистичної динамічної теорії виведено функціональні залежності та обчислено значення структурно чутливих до дефектів Х-променевих параметрів, в яких враховано ефекти анізотропії в орієнтації дислокаційних петель. Отримано інформацію про структуру та характеристики дефектів в неімплантованих та імплантованих монокристалах та плівках, встановлено зв'язок між характеристиками дефектів та параметрами магнітної мікроструктури досліджуваних матеріалів. Показано, що стан вирощених на підкладках гадоліній-галієвого гранату плівок є повністю напруженим. У приповерхневих шарах при йонній імплантації утворюються, в основному, точкові дефекти та дислокаційні петлі з середніми розмірами ЗО - 70 А. Із збільшенням дози опромінення зростає концентрація і зменшується радіус дислокаційних петель, а приповерхневий йонно-імплантований шар у площині, паралельній до поверхні кристалу, є повністю напруженим, незважаючи на великі значення (до 3 %) відносної деформації у перпендикулярному до площини поверхні кристалу напрямі.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/13179
Розташовується у зібраннях:№ 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Яремій І.П., Остафійчук Б.К. С.3-20.pdf872.46 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.