Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/12950
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Грушка, Олена Григорівна | - |
dc.contributor.author | Чупира, Сергій Миколайович | - |
dc.contributor.author | Мислюк, Оксана Михайлівна | - |
dc.contributor.author | Сльотов, Олексій Михайлович | - |
dc.date.accessioned | 2022-10-03T11:32:25Z | - |
dc.date.available | 2022-10-03T11:32:25Z | - |
dc.date.issued | 2022 | - |
dc.identifier.citation | Грушка О. Г. Бар’єрна ємність гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4 / О. Г. Грушка, С. М. Чупира, О. М. Мислюк, О. М. Сльотов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 3. - С. 450-453. | uk_UA |
dc.identifier.other | 10.15330/pcss.23.3.450-453 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/12950 | - |
dc.description.abstract | Наведено результати дослідження електричних характеристик гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4, отриманого методом посадки на оптичний контакт. Показано, що вольт-амперні характеристики та вольт-фарадні характеристики (ВФХ) є типовими для різкого гетеропереходу. Виявлено частотну залежність ВФХ: зі збільшенням частоти змінної напруги бар'єрна ємність зменшується. Залежності ВФХ від частоти обумовлені наявністю власних структурних дефектів та пов'язаних із ними локалізованих донорних станів у забороненій зоні CdIn2Te4. Одержані результати пояснюються залежними від частоти процесами перезарядки глибоких донорних центрів. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника | uk_UA |
dc.subject | гетероперехід | uk_UA |
dc.subject | бар'єрна ємність | uk_UA |
dc.subject | структурні дефекти | uk_UA |
dc.subject | вольт-фарадна характеристика | uk_UA |
dc.title | Бар’єрна ємність гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4 | uk_UA |
dc.title.alternative | The barrier capacitance of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterojunction | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Розташовується у зібраннях: | Т. 23, № 3 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
5744-Текст статті-17618-1-10-20220820.pdf | 687.83 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.