Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/12950
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГрушка, Олена Григорівна-
dc.contributor.authorЧупира, Сергій Миколайович-
dc.contributor.authorМислюк, Оксана Михайлівна-
dc.contributor.authorСльотов, Олексій Михайлович-
dc.date.accessioned2022-10-03T11:32:25Z-
dc.date.available2022-10-03T11:32:25Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationГрушка О. Г. Бар’єрна ємність гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4 / О. Г. Грушка, С. М. Чупира, О. М. Мислюк, О. М. Сльотов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 3. - С. 450-453.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.23.3.450-453-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/12950-
dc.description.abstractНаведено результати дослідження електричних характеристик гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4, отриманого методом посадки на оптичний контакт. Показано, що вольт-амперні характеристики та вольт-фарадні характеристики (ВФХ) є типовими для різкого гетеропереходу. Виявлено частотну залежність ВФХ: зі збільшенням частоти змінної напруги бар'єрна ємність зменшується. Залежності ВФХ від частоти обумовлені наявністю власних структурних дефектів та пов'язаних із ними локалізованих донорних станів у забороненій зоні CdIn2Te4. Одержані результати пояснюються залежними від частоти процесами перезарядки глибоких донорних центрів.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherПрикарпатський національний університет імені Василя Стефаникаuk_UA
dc.subjectгетероперехідuk_UA
dc.subjectбар'єрна ємністьuk_UA
dc.subjectструктурні дефектиuk_UA
dc.subjectвольт-фарадна характеристикаuk_UA
dc.titleБар’єрна ємність гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4uk_UA
dc.title.alternativeThe barrier capacitance of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterojunctionuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 23, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
5744-Текст статті-17618-1-10-20220820.pdf687.83 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.