1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2022
  6. Т. 23, № 3
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/12950
Назва: Бар’єрна ємність гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4
Інші назви: The barrier capacitance of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterojunction
Автори: Грушка, Олена Григорівна
Чупира, Сергій Миколайович
Мислюк, Оксана Михайлівна
Сльотов, Олексій Михайлович
Ключові слова: гетероперехід
бар'єрна ємність
структурні дефекти
вольт-фарадна характеристика
Дата публікації: 2022
Видавництво: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Бібліографічний опис: Грушка О. Г. Бар’єрна ємність гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4 / О. Г. Грушка, С. М. Чупира, О. М. Мислюк, О. М. Сльотов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 3. - С. 450-453.
Короткий огляд (реферат): Наведено результати дослідження електричних характеристик гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4, отриманого методом посадки на оптичний контакт. Показано, що вольт-амперні характеристики та вольт-фарадні характеристики (ВФХ) є типовими для різкого гетеропереходу. Виявлено частотну залежність ВФХ: зі збільшенням частоти змінної напруги бар'єрна ємність зменшується. Залежності ВФХ від частоти обумовлені наявністю власних структурних дефектів та пов'язаних із ними локалізованих донорних станів у забороненій зоні CdIn2Te4. Одержані результати пояснюються залежними від частоти процесами перезарядки глибоких донорних центрів.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/12950
Розташовується у зібраннях:Т. 23, № 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
5744-Текст статті-17618-1-10-20220820.pdf687.83 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.