Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/12119
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Бордун, Олег Михайлович | - |
dc.contributor.author | Бордун, Іван Олегович | - |
dc.contributor.author | Кофлюк, І. М. | - |
dc.contributor.author | Кухарський, Ігор Йосифович | - |
dc.contributor.author | Медвідь, Іванна Іванівна | - |
dc.date.accessioned | 2022-04-06T08:04:01Z | - |
dc.date.available | 2022-04-06T08:04:01Z | - |
dc.date.issued | 2022 | - |
dc.identifier.citation | Бордун О. М. Густина станів та міжзонне поглинання світла в тонких плівках Y2O3 і Sc2O3 / О. М. Бордун, І. О. Бордун, І. М. Кофлюк, І. Й. Кухарський, І. І. Медвідь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 1. - С. 40-44 | uk_UA |
dc.identifier.other | 10.15330/pcss.23.1.40-44 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/12119 | - |
dc.description.abstract | Досліджено довгохвильовий край смуги фундаментального поглинання тонких плівок Y2O3 i Sc2O3, одержаних методом дискретного випаровування у вакуумі. На основі його температурної залежності досліджено екситон-фононну взаємодію, що дало можливість інтерпретувати край поглинання як поглинання автолокалізованих екситонів. Для аналізу експериментальних результатів використано модель сильно легованого або дефектного напівпровідника в квазикласичному наближенні. Використання даної моделі дозволило оцінити радіус основного електронного стану а, радіус екранування rS і концентрацію вільних носіїв заряду N у досліджуваних плівках. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника | uk_UA |
dc.subject | оксид ітрію | uk_UA |
dc.subject | оксид скандію | uk_UA |
dc.subject | тонка плівка | uk_UA |
dc.subject | край фундаментального поглинання | uk_UA |
dc.title | Густина станів та міжзонне поглинання світла в тонких плівках Y2O3 і Sc2O3 | uk_UA |
dc.title.alternative | Density of states and interband light absorption in Y2O3 and Sc2O3 thin films | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Розташовується у зібраннях: | Т. 23, № 1 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
5135-Текст статті-15180-1-10-20220127.pdf | 422.09 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.