Фоточутливість польових транзисторів Шотткі на епішарах GaAs на моно-Si-підкладці

Abstract

Досліджені основи і фізичні механізми, які визначають фоточутливість арсенідгалієвих ПТШ на моно-Si-підкладках на бар’єрі Шотткі при їх освітленні випромінювання в області домішкової смуги поглинання. Проведені експерименти показали, що характер змін струму стоку в такій структурі при освітленні визначаються типом глибоких центрів, а величина його зміни визначається в основному дією двох факторів: зміни ширини шару об’ємного заряду бар’єрного контакту та ширини дипольного шару на межі розділу активний гетероперехідний шар-Si-підкладка.Така конструкція структури ПТШ рекомендується як фотодетектор для приймальних оптичних модулів волоконно-оптичних систем передачі сигналів.